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SiR892DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
V GS = 10 thr u 4 V
5
4
42
2 8
14
0
V GS = 3 V
3
2
1
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0. 8
1.6
2.4
3.2
4.0
0.0045
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0040
V GS = 4.5 V
2 8 00
C iss
0.0035
0.0030
0.0025
0.0020
V GS = 10 V
2100
1400
700
0
C rss
C oss
0
12
24
36
4 8
60
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10 A
V DS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
1.5
V DS = 5 V
6
V DS = 15 V
4
2
1.2
0.9
V GS = 4.5 V
0
0.6
0.0
8 .4
16. 8
25.2
33.6
42.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68639
S-83048-Rev. B, 22-Dec-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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